Número de Producto del Fabricante:
ALD114913PAL
Product Overview
Fabricante:
Advanced Linear Devices Inc.
Número de pieza:
ALD114913PAL-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Descripción Detallada:
Mosfet Array 10.6V 12mA, 3mA 500mW Through Hole 8-PDIP
Inventario:
13216832
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ENVIAR
ALD114913PAL Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Advanced Linear Devices
Embalaje
Tube
Serie
EPAD®
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Función FET
Depletion Mode
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
10.6V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12mA, 3mA
rds activados (máx.) @ id, vgs
500Ohm @ 2.7V
vgs(th) (máx.) @ id
1.26V @ 1µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2.5pF @ 5V
Potencia - Máx.
500mW
Temperatura de funcionamiento
0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PDIP
Número de producto base
ALD114913
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
1014-1065
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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