Número de Producto del Fabricante:
AOB66916L
Product Overview
Fabricante:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Número de pieza:
AOB66916L-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 35.5/120A TO263
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 35.5A (Ta), 120A (Tc) 8.3W (Ta), 277W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
2640 Pcs Nuevos Originales En Stock
12845353
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ENVIAR
AOB66916L Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
AlphaSGT™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
35.5A (Ta), 120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6180 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
8.3W (Ta), 277W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
AOB66916
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
785-1845-1
785-1845-2
5202-AOB66916LTR
785-1845-6
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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