Número de Producto del Fabricante:
AOI4102
Product Overview
Fabricante:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Número de pieza:
AOI4102-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 8A/19A TO251A
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 8A (Ta), 19A (Tc) 4.2W (Ta), 21W (Tc) Through Hole TO-251A
Inventario:
12843560
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ENVIAR
AOI4102 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8A (Ta), 19A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
37.5mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
432 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
4.2W (Ta), 21W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-251A
Paquete / Caja
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Número de producto base
AOI41
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,500
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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