Número de Producto del Fabricante:
AON6482
Product Overview
Fabricante:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Número de pieza:
AON6482-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 5.5A/28A 8DFN
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 5.5A (Ta), 28A (Tc) 2.5W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)
Inventario:
5986 Pcs Nuevos Originales En Stock
12930765
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ENVIAR
AON6482 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5.5A (Ta), 28A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
37mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.7V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2000 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 63W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-DFN (5x6)
Paquete / Caja
8-PowerSMD, Flat Leads
Número de producto base
AON648
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
785-1229-6
5202-AON6482TR
785-1229-2
785-1229-1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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