Número de Producto del Fabricante:
AOT502
Product Overview
Fabricante:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Número de pieza:
AOT502-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 33V 9A/60A TO220
Descripción Detallada:
N-Channel 33 V 9A (Ta), 60A (Tc) 1.9W (Ta), 79W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
12849896
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ENVIAR
AOT502 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
33 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9A (Ta), 60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
11.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.7V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1450 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.9W (Ta), 79W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
AOT5
Hoja de Datos y Documentos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FDP5800
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
916
NÚMERO DE PIEZA
FDP5800-DG
PRECIO UNITARIO
1.02
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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