Número de Producto del Fabricante:
AOTF266L
Product Overview
Fabricante:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Número de pieza:
AOTF266L-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 18A/78A TO220-3F
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 18A (Ta), 78A (Tc) 2.1W (Ta), 45.5W (Tc) Through Hole TO-220F
Inventario:
111 Pcs Nuevos Originales En Stock
12849344
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
AOTF266L Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
18A (Ta), 78A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5650 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.1W (Ta), 45.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220F
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
AOTF266
Hoja de Datos y Documentos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
785-1443-5
5202-AOTF266L
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TK100A06N1,S4X
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
25
NÚMERO DE PIEZA
TK100A06N1,S4X-DG
PRECIO UNITARIO
1.07
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
FQB33N10TM
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
FCH104N60
MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
AON6400L
MOSFET N-CH 30V 8DFN
