Número de Producto del Fabricante:
AOTF3N100
Product Overview
Fabricante:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Número de pieza:
AOTF3N100-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 1000V 2.8A TO220-3F
Descripción Detallada:
N-Channel 1000 V 2.8A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F
Inventario:
12849636
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ENVIAR
AOTF3N100 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1000 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
830 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
38W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220F
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
AOTF3
Hoja de Datos y Documentos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
5202-AOTF3N100
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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