Número de Producto del Fabricante:
AOV11S60
Product Overview
Fabricante:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Número de pieza:
AOV11S60-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 650MA/8A 4DFN
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 650mA (Ta), 8A (Tc) 8.3W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 4-DFN (8x8)
Inventario:
12849214
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
S3TE
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
AOV11S60 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
aMOS™
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
650mA (Ta), 8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
500mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
545 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
8.3W (Ta), 156W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
4-DFN (8x8)
Paquete / Caja
4-PowerTSFN
Número de producto base
AOV11
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,500
Otros nombres
785-1683-6
785-1683-2
5202-AOV11S60TR
785-1683-1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
AOTF11C60P
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3F
FQA140N10
MOSFET N-CH 100V 140A TO3PN
AOB9N70L
MOSFET N-CH 700V 9A TO263
