Número de Producto del Fabricante:
AOV11S60
Product Overview
Fabricante:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Número de pieza:
AOV11S60-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 650MA/8A 4DFN
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 650mA (Ta), 8A (Tc) 8.3W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 4-DFN (8x8)
Inventario:
12849214
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ENVIAR
AOV11S60 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
aMOS™
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
650mA (Ta), 8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
500mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
545 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
8.3W (Ta), 156W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
4-DFN (8x8)
Paquete / Caja
4-PowerTSFN
Número de producto base
AOV11
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,500
Otros nombres
785-1683-6
785-1683-2
5202-AOV11S60TR
785-1683-1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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