AOWF10N65
Número de Producto del Fabricante:

AOWF10N65

Product Overview

Fabricante:

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Número de pieza:

AOWF10N65-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 650V 10A TO262F
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-262F

Inventario:

12849091
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

AOWF10N65 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1Ohm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1645 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-262F
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
AOWF10

Hoja de Datos y Documentos

Dibujos de productos

Información Adicional

Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
5202-AOWF10N65

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
onsemi

FDD13AN06A0-F085

MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A TO252AA

alpha-and-omega-semiconductor

AON7408

MOSFET N-CH 30V 10A/18A 8DFN

alpha-and-omega-semiconductor

AON6508

MOSFET N-CH 30V 29A/32A 8DFN

alpha-and-omega-semiconductor

AOD496

MOSFET N-CH 30V 62A TO252