Número de Producto del Fabricante:
AOWF12N65
Product Overview
Fabricante:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Número de pieza:
AOWF12N65-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 12A TO262F
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 28W (Tc) Through Hole TO-262F
Inventario:
12849429
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ENVIAR
AOWF12N65 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
720mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2150 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
28W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-262F
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
AOWF12
Hoja de Datos y Documentos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
5202-AOWF12N65
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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