AOY2610E
Número de Producto del Fabricante:

AOY2610E

Product Overview

Fabricante:

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Número de pieza:

AOY2610E-DG

Descripción:

MOSFET N-CHANNEL 60V 19A TO251B
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 19A (Ta) 59.5W (Tc) Through Hole TO-251B

Inventario:

12843982
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

AOY2610E Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Embalaje
Tube
Serie
AlphaSGT™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
19A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
13 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1100 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
59.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-251B
Paquete / Caja
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Número de producto base
AOY2610

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
70
Otros nombres
5202-AOY2610E

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
alpha-and-omega-semiconductor

AOB409L

MOSFET P-CH 60V 5A/31.5A TO263

alpha-and-omega-semiconductor

AOB7S60L

MOSFET N-CH 600V 7A TO263

onsemi

NVMFS5C430NT1G

MOSFET N-CH 40V 5DFN