Número de Producto del Fabricante:
AOY2N60
Product Overview
Fabricante:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Número de pieza:
AOY2N60-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 2A TO251
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 2A (Tc) 57W (Tc) Through Hole TO-251B
Inventario:
12930015
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
AOY2N60 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.7Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
295 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
57W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-251B
Paquete / Caja
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Número de producto base
AOY2
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,500
Otros nombres
5202-AOY2N60
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TK2Q60D(Q)
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
190
NÚMERO DE PIEZA
TK2Q60D(Q)-DG
PRECIO UNITARIO
0.28
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
Productos relacionados
STP50N65DM6
MOSFET N-CH 650V 33A TO220
JANTXV2N6798U
MOSFET N-CH 200V 5.5A 18ULCC
PSMN8R5-40MLDX
MOSFET N-CH 40V 60A LFPAK33
