Número de Producto del Fabricante:
2N7002E
Product Overview
Fabricante:
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Número de pieza:
2N7002E-DG
Descripción:
N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 340mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23
Inventario:
19405 Pcs Nuevos Originales En Stock
12988919
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ENVIAR
2N7002E Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Anbon Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
340mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5Ohm @ 300mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
2.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
18 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
350mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-23
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base
2N7002
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
4530-2N7002ETR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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