Número de Producto del Fabricante:
CGD65A055S2-T07
Product Overview
Fabricante:
Cambridge GaN Devices
Número de pieza:
CGD65A055S2-T07-DG
Descripción:
650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W
Descripción Detallada:
650 V 27A (Tc) Surface Mount 16-DFN (8x8)
Inventario:
764 Pcs Nuevos Originales En Stock
13002419
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ENVIAR
CGD65A055S2-T07 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Cambridge GaN Devices
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
ICeGaN™
Estado del producto
Active
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
27A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
12V
rds activados (máx.) @ id, vgs
77mOhm @ 2.2A, 12V
vgs(th) (máx.) @ id
4.2V @ 10mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6 nC @ 12 V
Vgs (máx.)
+20V, -1V
Función FET
Current Sensing
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
16-DFN (8x8)
Paquete / Caja
16-PowerVDFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
4768-CGD65A055S2-T07CT
4768-CGD65A055S2-T07TR
4768-CGD65A055S2-T07DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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