DMG1012T-13
Número de Producto del Fabricante:

DMG1012T-13

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

Número de pieza:

DMG1012T-13-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 T&R
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 630mA (Ta) 280mW (Ta) Surface Mount SOT-523

Inventario:

18767 Pcs Nuevos Originales En Stock
12883569
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DMG1012T-13 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
630mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
400mOhm @ 600mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
0.74 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
60.67 pF @ 16 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
280mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-523
Paquete / Caja
SOT-523
Número de producto base
DMG1012

Información Adicional

Paquete Estándar
10,000
Otros nombres
31-DMG1012T-13TR
31-DMG1012T-13DKR
31-DMG1012T-13CT
DMG1012T-13-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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