DMG4N60SJ3
Número de Producto del Fabricante:

DMG4N60SJ3

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

Número de pieza:

DMG4N60SJ3-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 600V 3A TO251
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 3A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251

Inventario:

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DMG4N60SJ3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
14.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
532 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
41W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-251
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
DMG4

Información Adicional

Paquete Estándar
75

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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