DMG4N60SK3-13
Número de Producto del Fabricante:

DMG4N60SK3-13

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

Número de pieza:

DMG4N60SK3-13-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 600V 3.7A TO252 T&R
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 3.7A (Tc) 48W (Ta) Surface Mount TO-252-3

Inventario:

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DMG4N60SK3-13 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.3Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
14.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
532 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
48W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252-3
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
DMG4

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
DMG4N60SK3-13DITR
DMG4N60SK3-13DICT
DMG4N60SK3-13DIDKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
FQD5N60CTM
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
FQD5N60CTM-DG
PRECIO UNITARIO
0.42
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IXTY2N65X2
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IXTY2N65X2-DG
PRECIO UNITARIO
0.81
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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