Número de Producto del Fabricante:
DMG4N65CT
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMG4N65CT-DG
Descripción:
MOSFET N CH 650V 4A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 2.19W (Ta) Through Hole TO-220-3
Inventario:
12883638
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ENVIAR
DMG4N65CT Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
13.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
900 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.19W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
DMG4
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
DMG4N65CTDI
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STP5NK80Z
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
240
NÚMERO DE PIEZA
STP5NK80Z-DG
PRECIO UNITARIO
0.85
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
NÚMERO DE PARTE
IXTP4N80P
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IXTP4N80P-DG
PRECIO UNITARIO
1.10
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IRF820PBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
1744
NÚMERO DE PIEZA
IRF820PBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.47
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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