Número de Producto del Fabricante:
DMG7N65SJ3
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMG7N65SJ3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 5.5A TO251
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 5.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-251
Inventario:
12884126
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ENVIAR
DMG7N65SJ3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
-
Serie
Automotive, AEC-Q101
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
886 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-251
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
DMG7N65
Información Adicional
Paquete Estándar
75
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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