Número de Producto del Fabricante:
DMG8N65SCT
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMG8N65SCT-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB (Type TH)
Inventario:
12883489
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ENVIAR
DMG8N65SCT Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.3Ohm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1217 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB (Type TH)
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
DMG8N65
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXFP7N80PM
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IXFP7N80PM-DG
PRECIO UNITARIO
4.60
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IXFP7N80P
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
299
NÚMERO DE PIEZA
IXFP7N80P-DG
PRECIO UNITARIO
2.31
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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