DMJ70H1D3SH3
Número de Producto del Fabricante:

DMJ70H1D3SH3

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

Número de pieza:

DMJ70H1D3SH3-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
Descripción Detallada:
N-Channel 700 V 4.6A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251 (Type TH3)

Inventario:

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DMJ70H1D3SH3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
700 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.3Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
13.9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
351 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
41W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-251 (Type TH3)
Paquete / Caja
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Número de producto base
DMJ70

Información Adicional

Paquete Estándar
75
Otros nombres
DMJ70H1D3SH3-DG
DMJ70H1D3SH3DI

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
IPS70R1K4P7SAKMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IPS70R1K4P7SAKMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.18
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IPS80R600P7AKMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IPS80R600P7AKMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.69
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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