Número de Producto del Fabricante:

DMN1032UCP4-7

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

Número de pieza:

DMN1032UCP4-7-DG

Descripción:

MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DSN1010-

Descripción Detallada:

N-Channel 12 V 5A (Ta) 790mW (Ta) Surface Mount X1-DSN1010-4 (Type B)

Inventario:

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13002600

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DMN1032UCP4-7 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Diodes Incorporated

Embalaje

Bulk

Serie

-

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

12 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

5A (Ta)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

1.8V, 4.5V

rds activados (máx.) @ id, vgs

28mOhm @ 1A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

1.2V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

3.2 nC @ 4.5 V

Vgs (máx.)

±8V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

325 pF @ 6 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

790mW (Ta)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

X1-DSN1010-4 (Type B)

Paquete / Caja

4-XFBGA, DSBGA

Número de producto base

DMN1032

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

DMN1032UCP4-7-DG

Información Adicional

Paquete Estándar

3,000

Otros nombres

31-DMN1032UCP4-7

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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