Número de Producto del Fabricante:
DMN10H170SFG-13
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMN10H170SFG-13-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 2.9A (Ta), 8.5A (Tc) 940mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
Inventario:
5900 Pcs Nuevos Originales En Stock
12884809
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ENVIAR
DMN10H170SFG-13 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
122mOhm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
14.9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
870.7 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
940mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerDI3333-8
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Número de producto base
DMN10
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
DMN10H170SFG-13DKR-DG
DMN10H170SFG-13CT-DG
DMN10H170SFG-13DICT
DMN10H170SFG-13CT
DMN10H170SFG-13DITR
DMN10H170SFG-13TR-DG
DMN10H170SFG-13DKR
DMN10H170SFG-13TR
DMN10H170SFG-13DIDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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