Número de Producto del Fabricante:
DMN2005LP4K-7
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMN2005LP4K-7-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 200mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Inventario:
30047 Pcs Nuevos Originales En Stock
12898972
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ENVIAR
DMN2005LP4K-7 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
200mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.5V, 4V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 10mA, 4V
vgs(th) (máx.) @ id
900mV @ 100µA
Vgs (máx.)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
41 pF @ 3 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
400mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
X2-DFN1006-3
Paquete / Caja
3-XFDFN
Número de producto base
DMN2005
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
DMN2005LP4KDITR
DMN2005LP4K7
DMN2005LP4KDIDKR
DMN2005LP4KDICT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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