DMN2011UFX-7

Número de Producto del Fabricante:

DMN2011UFX-7

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

Número de pieza:

DMN2011UFX-7-DG

Descripción:

MOSFET 2N-CH 20V 12.2A 4VDFN

Descripción Detallada:

Mosfet Array 20V 12.2A (Ta) 2.1W Surface Mount V-DFN2050-4

Inventario:

2951 Pcs Nuevos Originales En Stock

12882823

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DMN2011UFX-7 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET

Fabricante

Diodes Incorporated

Embalaje

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Estado del producto

Active

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Configuración

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Función FET

-

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

20V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

12.2A (Ta)

rds activados (máx.) @ id, vgs

9.5mOhm @ 10A, 4.5V

vgs(th) (máx.) @ id

1V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

56nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

2248pF @ 10V

Potencia - Máx.

2.1W

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Caja

4-VFDFN Exposed Pad

Paquete de dispositivos del proveedor

V-DFN2050-4

Número de producto base

DMN2011

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

DMN2011UFX-7-DG

Información Adicional

Paquete Estándar

3,000

Otros nombres

DMN2011UFX-7DICT

DMN2011UFX-7DITR

DMN2011UFX-7DIDKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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