Número de Producto del Fabricante:

DMN3032LFDBWQ-13

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

Número de pieza:

DMN3032LFDBWQ-13-DG

Descripción:

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 6UDFN

Descripción Detallada:

Mosfet Array 30V 5.5A (Ta) 820mW Surface Mount U-DFN2020-6 (SWP) Type B

Inventario:

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13000645

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DMN3032LFDBWQ-13 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET

Fabricante

Diodes Incorporated

Embalaje

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Estado del producto

Active

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Configuración

2 N-Channel (Dual)

Función FET

-

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

30V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

5.5A (Ta)

rds activados (máx.) @ id, vgs

30mOhm @ 5.8A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

2V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

10.6nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

500pF @ 15V

Potencia - Máx.

820mW

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Grado

Automotive

Calificación

AEC-Q101

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Caja

6-UDFN Exposed Pad

Paquete de dispositivos del proveedor

U-DFN2020-6 (SWP) Type B

Número de producto base

DMN3032

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar

10,000

Otros nombres

31-DMN3032LFDBWQ-13TR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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