Número de Producto del Fabricante:
DMN6069SFVW-7
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMN6069SFVW-7-DG
Descripción:
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 4A (Ta), 14A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Inventario:
12987192
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
DMN6069SFVW-7 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4A (Ta), 14A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
69mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
740 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount, Wettable Flank
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Número de producto base
DMN6069
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
31-DMN6069SFVW-7TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
DMN6069SFVWQ-7
FABRICANTE
Diodes Incorporated
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
DMN6069SFVWQ-7-DG
PRECIO UNITARIO
0.14
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
Productos relacionados
SI2367DS-T1-BE3
P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
DMN2310UTQ-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
SIHA14N60E-GE3
N-CHANNEL 600V
