Número de Producto del Fabricante:
DMN65D8LFB-7B
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMN65D8LFB-7B-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 260mA (Ta) 430mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
Inventario:
465904 Pcs Nuevos Originales En Stock
12891813
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ENVIAR
DMN65D8LFB-7B Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
260mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3Ohm @ 115mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
25 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
430mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
X1-DFN1006-3
Paquete / Caja
3-UFDFN
Número de producto base
DMN65
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
10,000
Otros nombres
DMN65D8LFB-7BDICT
DMN65D8LFB-7BDITR
DMN65D8LFB7B
DMN65D8LFB-7BDIDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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