Número de Producto del Fabricante:
DMN80H2D0SCTI
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMN80H2D0SCTI-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 7A ITO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 7A (Tc) 41W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Inventario:
12883063
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ENVIAR
DMN80H2D0SCTI Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
35.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1253 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
41W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
ITO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Número de producto base
DMN80
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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