DMNH15H110SPS-13
Número de Producto del Fabricante:

DMNH15H110SPS-13

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

Número de pieza:

DMNH15H110SPS-13-DG

Descripción:

MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Descripción Detallada:
N-Channel 150 V 27A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8

Inventario:

13000398
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

DMNH15H110SPS-13 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
150 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
27A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
90mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
25.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
989 pF @ 75 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerDI5060-8
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
DMNH15

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
31-DMNH15H110SPS-13TR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
goford-semiconductor

G10N03S

N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<16M

panjit

PSMP075N15NS1_T0_00601

150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

vishay-siliconix

SI2323DS-T1-BE3

P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

IRLR110TRPBF-BE3

N-CHANNEL 100V