Número de Producto del Fabricante:
DMT6009LFG-7
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMT6009LFG-7-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 11A PWRDI3333
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 11A (Ta), 34A (Tc) 2.08W (Ta), 19.2W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8
Inventario:
4168 Pcs Nuevos Originales En Stock
12949502
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ENVIAR
DMT6009LFG-7 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11A (Ta), 34A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
10mOhm @ 13.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
33.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1925 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.08W (Ta), 19.2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerDI3333-8
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Número de producto base
DMT6009
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
DMT6009LFG-7DIDKR
DMT6009LFG-7DITR
DMT6009LFG-7DICT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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