Número de Producto del Fabricante:
DMT6012LSS-13
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMT6012LSS-13-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 10.4A 8SO
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 10.4A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventario:
4972 Pcs Nuevos Originales En Stock
12882326
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ENVIAR
DMT6012LSS-13 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10.4A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
11mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
22.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1522 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SO
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
DMT6012
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
31-DMT6012LSS-13TR
31-DMT6012LSS-13CT
DMT6012LSS-13-DG
31-DMT6012LSS-13DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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