Número de Producto del Fabricante:
DMT6017LFDF-7
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMT6017LFDF-7-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 65V 8.1A 6UDFN
Descripción Detallada:
N-Channel 65 V 8.1A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Inventario:
13270100
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
DMT6017LFDF-7 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
65 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8.1A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
18mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
15.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
891 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
800mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
U-DFN2020-6 (Type F)
Paquete / Caja
6-UDFN Exposed Pad
Número de producto base
DMT6017
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
31-DMT6017LFDF-7TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
DMT67M8LCGQ-13
MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFN
DMT12H065LFDF-13
MOSFET N-CH 115V 4.3A 6UDFN
DMP2110UW-7
MOSFET P-CH 20V 2A SOT323
