Número de Producto del Fabricante:
DMT69M5LCG-7
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMT69M5LCG-7-DG
Descripción:
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 14.6A (Ta), 52.1A (Tc) 1.37W (Ta) Surface Mount V-DFN3333-8 (Type B)
Inventario:
12979098
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ENVIAR
DMT69M5LCG-7 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
14.6A (Ta), 52.1A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8.3mOhm @ 13.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
28.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1406 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.37W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
V-DFN3333-8 (Type B)
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
31-DMT69M5LCG-7TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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