Número de Producto del Fabricante:

DMTH6002LPSWQ-13

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

Número de pieza:

DMTH6002LPSWQ-13-DG

Descripción:

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506

Descripción Detallada:

N-Channel 60 V 205A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8 (SWP)

Inventario:

2470 Pcs Nuevos Originales En Stock

13000723

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DMTH6002LPSWQ-13 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Diodes Incorporated

Embalaje

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

60 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

205A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

2mOhm @ 30A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

3V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

131 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

8289 pF @ 30 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

3W (Ta), 167W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Grado

Automotive

Calificación

AEC-Q101

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

PowerDI5060-8 (SWP)

Paquete / Caja

8-PowerTDFN

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar

2,500

Otros nombres

31-DMTH6002LPSWQ-13TR

31-DMTH6002LPSWQ-13CT

31-DMTH6002LPSWQ-13DKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE

DMTH6002LPSW-13

FABRICANTE

Diodes Incorporated

CANTIDAD DISPONIBLE

0

NÚMERO DE PIEZA

DMTH6002LPSW-13-DG

PRECIO UNITARIO

0.85

TIPO DE SUSTITUCIÓN

Parametric Equivalent

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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