Número de Producto del Fabricante:
DMTH6010LPDQ-13
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMTH6010LPDQ-13-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50
Descripción Detallada:
Mosfet Array 60V 13.1A (Ta), 47.6A (Tc) 2.8W Surface Mount PowerDI5060-8
Inventario:
23404 Pcs Nuevos Originales En Stock
12884149
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ENVIAR
DMTH6010LPDQ-13 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
13.1A (Ta), 47.6A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
11mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
40.2nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2615pF @ 30V
Potencia - Máx.
2.8W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerDI5060-8
Número de producto base
DMTH6010
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
DMTH6010LPDQ-13DIDKR
DMTH6010LPDQ-13-DG
DMTH6010LPDQ-13DITR
DMTH6010LPDQ-13DICT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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