Número de Producto del Fabricante:
DMTH8012LPSQ-13
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMTH8012LPSQ-13-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 10A (Ta), 72A (Tc) 2.6W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Inventario:
5403 Pcs Nuevos Originales En Stock
12901817
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
DMTH8012LPSQ-13 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Ta), 72A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
17mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
46.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2051 pF @ 40 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.6W (Ta), 136W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerDI5060-8
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
DMTH8012
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
DMTH8012LPSQ-13DICT
DMTH8012LPSQ-13DITR
DMTH8012LPSQ-13-DG
DMTH8012LPSQ-13DIDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
NDH832P
MOSFET P-CH 20V 4.2A SUPERSOT8
DMN67D7L-7
MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23-3
IXTC26N50P
MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220
