DRDNB26W-7
Número de Producto del Fabricante:

DRDNB26W-7

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

Número de pieza:

DRDNB26W-7-DG

Descripción:

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT363
Descripción Detallada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 50 V 600 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount SOT-363

Inventario:

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DRDNB26W-7 Especificaciones Técnicas

Categoría
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Pre-biasados individuales
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo de transistor
NPN - Pre-Biased + Diode
Corriente - Colector (Ic) (Max)
600 mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50 V
Resistencia - Base (R1)
220 Ohms
Resistencia - Base del emisor (R2)
4.7 kOhms
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
47 @ 50mA, 5V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
500nA
Frecuencia - Transición
200 MHz
Potencia - Máx.
200 mW
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-363
Número de producto base
DRDNB26

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
DRDNB26W-7
Hoja de datos HTML
DRDNB26W-7-DG

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
DRDNB26W7
DRDNB26WDIDKR
DRDNB26WDITR
DRDNB26WDICT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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