Número de Producto del Fabricante:
ZXMHC10A07T8TA
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
ZXMHC10A07T8TA-DG
Descripción:
MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
Descripción Detallada:
Mosfet Array 100V 1A, 800mA 1.3W Surface Mount SM8
Inventario:
1000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12904329
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ENVIAR
ZXMHC10A07T8TA Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1A, 800mA
rds activados (máx.) @ id, vgs
700mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
2.9nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Potencia - Máx.
1.3W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SOT-223-8
Paquete de dispositivos del proveedor
SM8
Número de producto base
ZXMHC10
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
ZXMHC10A07T8DKR
ZXMHC10A07T8CT-NDR
ZXMHC10A07T8TR-DG
ZXMHC10A07T8CT
31-ZXMHC10A07T8TADKR
1034-ZXMHC10A07T8TR
1034-ZXMHC10A07T8DKR
31-ZXMHC10A07T8TATR
ZXMHC10A07T8DKR-DG
1034-ZXMHC10A07T8CT
ZXMHC10A07T8CT-DG
31-ZXMHC10A07T8TACT
ZXMHC10A07T8TR
ZXMHC10A07T8TR-NDR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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