Número de Producto del Fabricante:
ZXMN2A02N8TA
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
ZXMN2A02N8TA-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 8.3A 8SO
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 8.3A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventario:
480 Pcs Nuevos Originales En Stock
12905494
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ENVIAR
ZXMN2A02N8TA Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8.3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
20mOhm @ 11A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
700mV @ 250µA (Min)
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
18.9 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1900 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.56W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SO
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
ZXMN2
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
ZXMN2A02N8DI
31-ZXMN2A02N8TADKR
ZXMN2A02N8TR-NDR
31-ZXMN2A02N8TACT
ZXMN2A02N8CT
ZXMN2A02N8CT-NDR
31-ZXMN2A02N8TATR
ZXMN2A02N8TR
ZXMN2A02N8DKR
ZXMN2A02N8DI-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRL6342TRPBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
30562
NÚMERO DE PIEZA
IRL6342TRPBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.17
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
NÚMERO DE PARTE
STS6NF20V
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
8427
NÚMERO DE PIEZA
STS6NF20V-DG
PRECIO UNITARIO
0.25
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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