Número de Producto del Fabricante:
ZXMNS3BM832TA
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
ZXMNS3BM832TA-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 2A 8MLP
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-MLP (3x2)
Inventario:
12886372
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
ZXMNS3BM832TA Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
180mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
700mV @ 250µA (Min)
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
2.9 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
314 pF @ 15 V
Función FET
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.)
1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-MLP (3x2)
Paquete / Caja
8-VDFN Exposed Pad
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
ZXMNS3BM832CT
ZXMNS3BM832TA-DG
ZXMNS3BM832DKR
ZXMNS3BM832TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
ZVN4525GTA
MOSFET N-CH 250V 310MA SOT223
ZVN4525GTC
MOSFET N-CH 250V 310MA SOT223
ZVN3320FTA
MOSFET N-CH 200V 60MA SOT23-3
