Número de Producto del Fabricante:
FBG20N18BC
Product Overview
Fabricante:
EPC Space, LLC
Número de pieza:
FBG20N18BC-DG
Descripción:
GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 18A (Tc) Surface Mount 4-SMD
Inventario:
115 Pcs Nuevos Originales En Stock
12997386
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ENVIAR
FBG20N18BC Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
EPC Space
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
18A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
26mOhm @ 18A, 5V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 3mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
+6V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
900 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
-
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
4-SMD
Paquete / Caja
4-SMD, No Lead
Información Adicional
Paquete Estándar
154
Otros nombres
4107-FBG20N18BC
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
ECCN
9A515E1
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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