Número de Producto del Fabricante:
FCD900N60Z
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FCD900N60Z-DG
Descripción:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 4.5A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventario:
1213 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946344
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ENVIAR
FCD900N60Z Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
SuperFET® II
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
900mOhm @ 2.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
720 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
52W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252 (DPAK)
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
385
Otros nombres
ONSONSFCD900N60Z
2156-FCD900N60Z
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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