Número de Producto del Fabricante:
FCH041N65EFL4
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FCH041N65EFL4-DG
Descripción:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 76A (Tc) 595W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventario:
232 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946299
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ENVIAR
FCH041N65EFL4 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
FRFET®, SuperFET® II
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
76A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
41mOhm @ 38A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 7.6mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
298 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
12560 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
595W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-4
Paquete / Caja
TO-247-4
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
2156-FCH041N65EFL4
ONSFSCFCH041N65EFL4
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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