FCP130N60
Número de Producto del Fabricante:

FCP130N60

Product Overview

Fabricante:

Fairchild Semiconductor

Número de pieza:

FCP130N60-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 28A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventario:

127 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946034
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

FCP130N60 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
SuperFET® II
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
28A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
130mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3590 pF @ 380 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
278W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
127
Otros nombres
ONSFSCFCP130N60
2156-FCP130N60

Clasificación Ambiental y de Exportación

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
Productos relacionados
nxp-semiconductors

BUK7628-100A,118

MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK

fairchild-semiconductor

FCP13N60N

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

international-rectifier

AUIRFS8405

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

fairchild-semiconductor

FCP11N60N

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1