Número de Producto del Fabricante:
FDA16N50LDTU
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FDA16N50LDTU-DG
Descripción:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 16.5A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-3PN (L-Forming)
Inventario:
26720 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946889
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ENVIAR
FDA16N50LDTU Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
16.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
380mOhm @ 8.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1945 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
205W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3PN (L-Forming)
Paquete / Caja
TO-3P-3, SC-65-3 (Formed Leads)
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
190
Otros nombres
2156-FDA16N50LDTU
FAIFSCFDA16N50LDTU
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
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