FDA18N50
Número de Producto del Fabricante:

FDA18N50

Product Overview

Fabricante:

Fairchild Semiconductor

Número de pieza:

FDA18N50-DG

Descripción:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 19A (Tc) 239W (Tc) Through Hole TO-3PN

Inventario:

1564 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946683
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FDA18N50 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
UniFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
19A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
265mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2860 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
239W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3PN
Paquete / Caja
TO-3P-3, SC-65-3

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
FDA18N50 Datasheet

Información Adicional

Paquete Estándar
169
Otros nombres
2156-FDA18N50
ONSONSFDA18N50

Clasificación Ambiental y de Exportación

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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