Número de Producto del Fabricante:
FDB029N06
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FDB029N06-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 231W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
5208 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946970
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FDB029N06 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.1mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
151 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9815 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
231W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
73
Otros nombres
FAIFSCFDB029N06
2156-FDB029N06
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
Productos relacionados
AUIRF1010ZL
MOSFET N-CH 55V 75A TO262
FDS4470
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDD8796
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
