FDB5645
Número de Producto del Fabricante:

FDB5645

Product Overview

Fabricante:

Fairchild Semiconductor

Número de pieza:

FDB5645-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 80A (Ta) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventario:

7652 Pcs Nuevos Originales En Stock
13076008
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

FDB5645 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
PowerTrench®
Embalaje
Bulk
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9.5mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
107 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4468 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
FDB5645

Información Adicional

Paquete Estándar
79
Otros nombres
FAIFSCFDB5645
2156-FDB5645-FSTR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Productos relacionados
fairchild-semiconductor

HUF75623P3

MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3

fairchild-semiconductor

FDS6299S

MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC

nec-corporation

NP80N04NDG-S18-AY

MOSFET N-CH 40V 80A TO262

fairchild-semiconductor

HUFA76609D3ST

MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA