FDD6530A
Número de Producto del Fabricante:

FDD6530A

Product Overview

Fabricante:

Fairchild Semiconductor

Número de pieza:

FDD6530A-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 20V 21A TO252
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 21A (Ta) 3.3W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Inventario:

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FDD6530A Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
-
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
21A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
32mOhm @ 8A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
9 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
710 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.3W (Ta), 33W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252 (DPAK)
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
FDD6530A Datasheet

Información Adicional

Paquete Estándar
533
Otros nombres
2156-FDD6530A
ONSFSCFDD6530A

Clasificación Ambiental y de Exportación

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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